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STGW25H120F2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGW25H120F2
廠商型號(hào)

STGW25H120F2

參數(shù)屬性

STGW25H120F2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

957.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-27 9:50:00

STGW25H120F2規(guī)格書(shū)詳情

STGW25H120F2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW25H120F2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the H series

of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

losses to maximize the efficiency of high

switching frequency converters. Moreover, a

slightly positive VCE(sat) temperature coefficient

and very tight parameter distribution result in

safer paralleling operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A

? 5 μs minimum short circuit withstand time at

TJ=150 °C

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

Applications

? Uninterruptible power supply

? Welding machines

? Photovoltaic inverters

? Power factor correction

? High frequency converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGW25H120F2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,25A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    600μJ(開(kāi)),700μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    29ns/130ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-247-3
7188
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持
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ST/意法
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TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
10000
只有原裝,原裝,假一罰十
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STMicroelectronics
23+
TO247
50000
只做原裝正品
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ST原裝
24+
TO-247
9860
一級(jí)代理
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ST
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專(zhuān)業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553
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