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STGW20IH125DF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW20IH125DF
廠商型號

STGW20IH125DF

參數屬性

STGW20IH125DF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1250V 40A 259W TO-247

功能描述

1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT
IGBT 1250V 40A 259W TO-247

絲印標識

G20IH125DF

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

1.35779 Mbytes

頁面數量

17

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-5 19:10:00

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STGW20IH125DF規(guī)格書詳情

STGW20IH125DF屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGW20IH125DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

These IGBTs are developed using an advanced

proprietary trench gate field-stop structure and

performance is optimized in both conduction and

switching losses. A freewheeling diode with a low

drop forward voltage is co-packaged. The result is

a product specifically designed to maximize

efficiency for any resonant and soft-switching

application.

Features

? Designed for soft commutation only

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Very low VF soft recovery co-packaged diode

? Low thermal resistance

? Lead free package

Applications

? Induction heating

? Microwave oven

? Resonant converters

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGW20IH125DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,15A

  • 開關能量:

    410μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/106ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1250V 40A 259W TO-247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現貨
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ST/意法半導體
21+
TO-247-3
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