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STGW15H120F2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW15H120F2
廠商型號

STGW15H120F2
參數(shù)屬性

STGW15H120F2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
絲印標(biāo)識

G15H120F2
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

801.85 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-27 11:30:00

STGW15H120F2規(guī)格書詳情

STGW15H120F2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW15H120F2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the improved

H series of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

loss to maximize the efficiency of high frequency

converters. Furthermore, a slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A

? 5 μs minimum short-circuit withstand time at

TJ=150 °C

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

Applications

? Uninterruptible power supply

? Welding machines

? Photovoltaic inverters

? Power factor correction

? High frequency converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGW15H120F2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    380μJ（開），370μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/111ns

  • 測試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STMicroelectronics
23+
TO247
50000
只做原裝正品
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-247-3
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
 詢價
ST
14+
TO247
11498
向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
TO-247-3
36900
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
ST
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-247-3
7188
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持
 詢價
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
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ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-247-3
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