首頁>STGWT40H65FB>規(guī)格書詳情

STGWT40H65FB分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT40H65FB
廠商型號

STGWT40H65FB

參數屬性

STGWT40H65FB 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

絲印標識

GWT40H65FB

封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.08307 Mbytes

頁面數量

21

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 11:30:00

STGWT40H65FB規(guī)格書詳情

STGWT40H65FB屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGWT40H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGWT40H65FB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 開關能量:

    498mJ(開),363mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    40ns/142ns

  • 測試條件:

    400V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STM
22+
SMD
30000
只做原裝正品
詢價
ST/意法
23+
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
詢價
24+
N/A
73000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
ST/意法
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
詢價
ST/意法
2022+
TO3P
1600
原廠原裝,假一罰十
詢價
ST
TO-3P
93480
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī)
詢價
ST
22+
TO3P
9000
原廠渠道,現貨配單
詢價
ST原裝
24+
TO-3P
9860
一級代理
詢價
ST
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數量
詢價
STMicroelectronics
18+
NA
3083
進口原裝正品優(yōu)勢供應
詢價