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    STGWF30NC60S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

    STGWF30NC60S
    廠商型號(hào)

    STGWF30NC60S

    參數(shù)屬性

    STGWF30NC60S 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 35A 79W TO3P

    功能描述

    30 A, 600 V, fast IGBT
    IGBT 600V 35A 79W TO3P

    文件大小

    497.21 Kbytes

    頁(yè)面數(shù)量

    15 頁(yè)

    生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
    企業(yè)簡(jiǎn)稱

    STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

    中文名稱

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

    原廠標(biāo)識(shí)
    數(shù)據(jù)手冊(cè)

    原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

    更新時(shí)間

    2024-12-26 23:00:00

    STGWF30NC60S規(guī)格書(shū)詳情

    STGWF30NC60S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWF30NC60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

    Features

    ■ Optimized performance for medium operating

    frequencies up to 5 kHz in hard switching

    ■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

    ■ High current capability

    Application

    Motor drive

    Description

    This device utilizes the advanced PowerMESH?

    process resulting in an excellent trade-off

    between switching performance and low on-state

    behavior.

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 產(chǎn)品編號(hào):

      STGWF30NC60S

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 系列:

      PowerMESH?

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      1.9V @ 15V,20A

    • 開(kāi)關(guān)能量:

      300μJ(開(kāi)),1.28mJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標(biāo)準(zhǔn)

    • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

      21.5ns/180ns

    • 測(cè)試條件:

      480V,20A,10 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-3P-3 整包

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-3P

    • 描述:

      IGBT 600V 35A 79W TO3P

    供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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