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STGWA75M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA75M65DF2
廠商型號

STGWA75M65DF2

參數(shù)屬性

STGWA75M65DF2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low loss
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.00521 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 23:00:00

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STGWA75M65DF2價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

STGWA75M65DF2規(guī)格書詳情

STGWA75M65DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGWA75M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWA75M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    M

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    690μJ(開),2.54mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    47ns/125ns

  • 測試條件:

    400V,75A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 長引線

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-247
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