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STGWA35HF60WDI分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA35HF60WDI
廠商型號

STGWA35HF60WDI
參數(shù)屬性

STGWA35HF60WDI 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 260W TO247
功能描述

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
IGBT 600V 70A 260W TO247
絲印標(biāo)識

35HF60WDI
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

1.05555 Mbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-7 12:00:00
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STGWA35HF60WDI規(guī)格書詳情

STGWA35HF60WDI屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA35HF60WDI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This ultrafast IGBT is developed using a new

planar technology to yield a device with tighter

switching energy variation (Eoff) versus

temperature. The suffix W denotes a subset of

products designed for high switching frequency

operation (over 100 kHz).

Features

■ Improved Eoff at elevated temperature

■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction

susceptibility)

■ Low VF soft recovery antiparallel diode

Applications

■ Welding

■ Induction heating

■ Resonant converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGWA35HF60WDI

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    185μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/175ns

  • 測試條件：

    390V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 長引線

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 260W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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