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STGWA15H120DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA15H120DF2
廠商型號

STGWA15H120DF2

參數(shù)屬性

STGWA15H120DF2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

絲印標(biāo)識

G15H120DF2

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

832.25 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-23 8:12:00

STGWA15H120DF2規(guī)格書詳情

STGWA15H120DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA15H120DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the improved H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A

? 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C

? Safe paralleling

? Very fast recovery antiparallel diode

? Low thermal resistance

Applications

? Uninterruptible power supply

? Welding machines

? Photovoltaic inverters

? Power factor correction

? High frequency converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWA15H120DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),370μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/111ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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