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STGW80V60F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW80V60F |
| 參數(shù)屬性 | STGW80V60F 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 120A 469W TO247 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.64813 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-23 8:24:00 |
STGW80V60F規(guī)格書詳情
STGW80V60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80V60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW80V60F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，80A
- 開關(guān)能量：
1.8mJ（開），1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
60ns/220ns
- 測試條件：
400V，80A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 120A 469W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO247 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
TO-247-3 |
6000 |
詢價 | ||||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
14280 |
強(qiáng)勢渠道訂貨 7-10天 |
詢價 | ||
ST |
1926+ |
TO-247 |
6852 |
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詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST |
TO-247 |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |
