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STGW60H65DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW60H65DF |
| 參數(shù)屬性 | STGW60H65DF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 120A 360W TO247 |
| 功能描述 | 60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.92588 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-25 11:46:00 |
| 人工找貨 | STGW60H65DF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGW60H65DF規(guī)格書詳情
STGW60H65DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGW60H65DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW60H65DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，60A
- 開關(guān)能量：
1.5mJ（開），1.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
67ns/165ns
- 測試條件：
400V，60A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 650V 120A 360W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO247 |
16900 |
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詢價 | ||
ST |
24+ |
TO247-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ST |
20+ |
TO-247-3 |
69052 |
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ST |
22+ |
TO247 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-247 |
2800 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
58000 |
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詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-247 |
10000 |
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詢價 | ||
ST |
2023+ |
TO247-3 |
6000 |
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詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
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ST |
22+ |
IGBT |
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詢價 |
