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STGW60H65DF	文件：1.92588 Mbytes Page：13 Pages	60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 650V 120A 360W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB_V01	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB-4	文件：556.1 Kbytes Page：15 Pages	Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin ?LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB	文件：1.57984 Mbytes Page：19 Pages	Low thermal resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 650V 80A 375W TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB-4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-4 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DRF	文件：2.06606 Mbytes Page：13 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65F	文件：1.43522 Mbytes Page：12 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65F	文件：1.51865 Mbytes Page：14 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBT Features ■Highspeedswitching ■Tightparameterdistribution ■Safeparalleling ■Lowthermalresistance ■6μsshort-circuitwithstandtime ■Leadfreepackage Applications ■Photovoltaicinverters ■Uninterruptiblepowersupply ■Welding ■Powerfactorcorrection ■Highswitching	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGW60H65FB	文件：1.23474 Mbytes Page：16 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
STGW60H65DF
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，60A
開關(guān)能量：
1.5mJ（開），1.1mJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
67ns/165ns
測試條件：
400V，60A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 120A 360W TO247

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