STGW60H65DFB_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGW60H65DFB品牌:STMicroelectronics

資料說明:IGBT 650V 80A 375W TO-247

STGW60H65DFB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    stgw60h65dfb

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明:

    IGBT 650V 80A 375W TO-247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW60H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    1.09mJ(開),626μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    51ns/160ns

  • 測試條件:

    400V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 650V 80A 375W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
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TO-247
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原裝正品現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨提供BOM
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ST(意法半導(dǎo)體)
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STMicroelectronics
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TO-247-3
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST/意法
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原廠原裝現(xiàn)貨
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ST
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TO-247
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NA
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ST/意法
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ST(意法半導(dǎo)體)
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