IXYP8N90C3D1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào):IXYP8N90C3D1品牌:IXYS

資料說(shuō)明:IGBT 900V 20A 125W TO220

IXYP8N90C3D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-220-3的IXYP8N90C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ixyp8n90c3d1

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 900V 20A 125W TO220

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYP8N90C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,8A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    460μJ(開(kāi)),180μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    16ns/40ns

  • 測(cè)試條件:

    450V,8A,30 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 900V 20A 125W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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