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STGW15M120DF3_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導體

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原廠料號：STGW15M120DF3品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 1200V 30A 259W

STGW15M120DF3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導體生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW15M120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgw15m120df3

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 30A 259W

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW15M120DF3

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    550μJ（開），850μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    26ns/122ns

  • 測試條件：

    600V，15A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 259W

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