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STGWT30H65FB

Marking：GWT30H65FB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWT30H65FB

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 30A 260W TO3PL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGFW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP30H65F

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號：

    STGWT30H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    151μJ（開），293μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    37ns/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 30A 260W TO3PL

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGWT30H65FB供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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