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STH260N6F6-2

N-channel 60 V, 1.7 m廓 typ., 180 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in H?PAK-2 package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET?DeepGATE?technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■Lowgatecharge ■Verylowon-resistance ■Highavalancheru

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STH260N6F6-2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 16:03:00