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STGW60H65DFB-4

Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin ?LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW60H65DFB-4

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-247-4 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW60H65DFB-4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HB

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關能量:

    346μJ(開),1.161mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    65ns/261ns

  • 測試條件:

    400V,60A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-4

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-4

  • 描述:

    IGBT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGW60H65DFB-4供應商 更新時間2025-1-11 23:00:00