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STGW80H65FB-4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW80H65FB-4 |
| 參數(shù)屬性 | STGW80H65FB-4 封裝/外殼為TO-247-4；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| 功能描述 | Safe paralleling |
| 封裝外殼 | TO-247-4 |
| 文件大小 |
772.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 23:40:00 |
| 人工找貨 | STGW80H65FB-4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGW80H65FB-4規(guī)格書詳情
STGW80H65FB-4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80H65FB-4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW80H65FB-4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
- 開關(guān)能量：
2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
84ns/280ns
- 測試條件：
400V，80A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-4
- 描述：
IGBT BIPO 650V 80A TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
14+ |
TO-247 |
40 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
5590 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
20000 |
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ST |
25+ |
原廠原封 |
18000 |
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ST(意法) |
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ST |
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TO247-3 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
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