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STGWT40H60DLFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGWT40H60DLFB
廠商型號(hào)

STGWT40H60DLFB
參數(shù)屬性

STGWT40H60DLFB 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
絲印標(biāo)識(shí)

GWT40H60DLFB
封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

1.49074 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-7 12:00:00
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STGWT40H60DLFB規(guī)格書(shū)詳情

STGWT40H60DLFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWT40H60DLFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.)

@ IC = 40 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Low VF soft recovery co-packaged diode

? Lead free package

Applications

? Induction heating

? Microwave oven

? Resonant converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT40H60DLFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    363μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/142ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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