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STGW30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	Marking：GW30H60DF；Package：TO-247；600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30H60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 260W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30H60DFB	文件：1.43779 Mbytes Page：20 Pages	Marking：GW30H60DFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30H60DFB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 260W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30H60DLFB	文件：1.74476 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGWA30H60DFB	文件：1.43779 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGWT30H60DFB	文件：1.43779 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STPS30H60C	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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STPS30H60CG	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
STGW30H60DF
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，30A
開(kāi)關(guān)能量：
350μJ（開(kāi)），400μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
50ns/160ns
測(cè)試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
描述：
IGBT 600V 60A 260W TO247

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	STGW30H60DF	ST(意法)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	STGW30H60DF	ST	23+	TOT03	3000	原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!	詢價(jià)
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