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CRG04A

Marking:G4A;Package:3-2A1S;Rectifier Diode Silicon Diffused Junction

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

DMG4435SSS-13

Marking:G4435SS;Package:SO-8;P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DMG4435SSS-13

Marking:G4435SS;Package:SO-8;P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DTD122JK

Marking:G4C;Package:SMT3;500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

EUP7965-50VIR1

Marking:G4**;Package:SOT-25;150mA Low-Noise Low-Dropout Linear Regulator

EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

HYG400P10LQ1D

Marking:G400P10;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HYG400P10LQ1U

Marking:G400P10;Package:TO-251-3L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HYG400P10LQ1V

Marking:G400P10;Package:TO-251-3S;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HYG420N06LR1D

Marking:G420N06;Package:TO-252-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HYG420N06LR1U

Marking:G420N06;Package:TO-251-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    G40

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_甚高頻 (VHF)_本級振蕩 (

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    0.05A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.15

詳細參數(shù)

  • 型號:

    G4

  • 制造商:

    ALTECH CORP

  • 功能描述:

    Retainer Clip; Fits GZ8, GZ11

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT-23
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TOSHIBA/東芝
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專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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INFINEON/英飛凌
24+
SOT223
285
現(xiàn)貨供應(yīng)
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更多G4供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 15:00:00