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G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
G50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGP50N60T	文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGW50N60TP	文件：1.46338 Mbytes Page：14 Pages	600VIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKFW50N60ET	文件：2.02998 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMIGBTcopackedwithRapid1fastandsoftantiparalleldiodeinfullyisolatedpackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKW50N60T	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60TA	文件：951.92 Kbytes Page：14 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication Features: AutomotiveAECQ101qualified DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5μs TRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologyfor600V applicationsoffers: ?-ve	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IXFH50N60X	文件：381.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH50N60X	文件：190.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ50N60	文件：312.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=180mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多G50N60F供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 11:00:00

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