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IGB50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGB50N60T_09	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGB50N60TATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP50N60T	文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細參數(shù)

型號：
IGB50N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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