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IGW25N120H3

High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnologyrecommendedincombinationwithSiCDiodeIDH15S120 Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?bestinclassswitchingperformance:lessthan500μJtotalswitchinglossesachievable ?verylowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperatur

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW25N120H3

IGW25N120H3

Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?bestinclassswitchingperformance:lessthan500μJtotal switchinglossesachievable ?verylowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpic

InfineonInfineon Technologies AG

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IGW25N120H3_14

IGW25N120H3

Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?bestinclassswitchingperformance:lessthan500μJtotal switchinglossesachievable ?verylowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpic

InfineonInfineon Technologies AG

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IGW25N120H3FKSA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IKW25N120H3

TrenchandField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.05V@IC=25A ·Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·AirConditioning ·weldingconverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IKW25N120H3

1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDEC

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數

  • 型號：

    IGW25N120H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
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INFINEON/英飛凌
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原裝進口假一罰十
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Infineon(英飛凌)
23+
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12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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2019
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INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質
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更多IGW25N120H3供應商 更新時間2024-12-25 9:49:00

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