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IGW30N60H3

High speed IGBT IN Trench and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW30N60H3FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns?ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

IGA30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGP30N60H3

TrenchandFieldstopIGBT

DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IGP30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

TRENCHSTOPtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IGW30N60H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V HI SPEED SW IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
1076
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3671
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
INFINEON
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
2112+
PG-TO247-3
105000
240個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-3
10000
原裝,品質(zhì)保證,請(qǐng)來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON
21+
TO-247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多IGW30N60H3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 23:00:00

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