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BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

GeneralInformation TheBourns?ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BIDNW30N60H3

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

IGA30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGP30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

TRENCHSTOPtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGP30N60H3

TrenchandFieldstopIGBT

DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IGW30N60H3

HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BIDNW30N60H3

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    1.85mJ（開）， 450μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/67ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247N-3L

  • 描述：

    IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Bourns Inc.
24+
TO-247-3
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
BOURNS
24+
con
35960
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢價
BOURNS
23+
-
600
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
 詢價
LRC
23+
NA
25060
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
Microchip/微芯
30000
原裝正品,現(xiàn)貨優(yōu)勢
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24+
N/A
64000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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BEREX
22+
SOT-89
20000
保證原裝正品,假一陪十
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BEREX
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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23+
SOT-89
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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BEREX
23+
SOT-89
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
更多BIDNW30N60H3供應商 更新時間2025-3-6 15:05:00

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