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IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGD06N60TATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 12A 88W TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：376.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：494.78 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：331.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHD06N60RA	文件：824.92 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：354.49 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=6A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IKB06N60T	文件：371.12 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IKB06N60T	文件：658.38 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60RA	文件：2.39499 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKD06N60RFA	文件：1.96668 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP06N60T	文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IGD06N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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