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IGP20N60H3

Marking：G20H603；Package：PG-TO220-3；High speed switching series third generation

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoH

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IGP20N60H3XKSA1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO220-3

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IGB20N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

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IGW20N60H3

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology

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IKB20N60H3

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology

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IKP20N60H3

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology

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IKW20N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

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IKW20N60H3

HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMode

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IGP20N60H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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TO-220
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Infineon(英飛凌)
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PG-TO220-3
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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PG-TO220-3
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更多IGP20N60H3供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 8:11:00

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