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AP3012KTR-G1

Marking：G6B；Package：SOT-23-5；1.5MHz STEP-UP DC-DC CONVERTER

Features ·HighEfficiencyupto81 ·AdjustableOutputVoltageupto29V ·ShutdownCurrent1μATypical ·1.5MHzSwitchingFrequency ·36V500mARuggedIntegratedBipolarSwitch ·Built-inSoft-starttoReduceInrushCurrentDuringStart-up ·On-chipOvervoltageProtection ·UsesLowESR

DIODES

Diodes Incorporated

AP3015AKTR-G1

Marking：G6F；Package：SOT-23-5；MICRO POWER STEP-UP DC-DC CONVERTER

Features ·LowQuiescentCurrent InActiveMode(NotSwitching):17μATypical InShutdownMode:

DIODES

Diodes Incorporated

AP3015KTR-G1

Marking：G6E；Package：SOT-23-5；MICRO POWER STEP-UP DC-DC CONVERTER

Features ·LowQuiescentCurrent InActiveMode(NotSwitching):17μATypical InShutdownMode:

DIODES

Diodes Incorporated

AS321KTR-G1

Marking：G6T；Package：SOT25；LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

Features ?ExcellentPhaseMargin:60deg. ?LargeVoltageGain:100dB(Typical) ?LowInputBiasCurrent:20nA(Typical) ?LowInputOffsetVoltage:2mV(Typical) ?LowSupplyCurrent:0.35mAatVCC=5V ?WidePowerSupplyVoltage: ?SingleSupply:3Vto36V ?DualSupplies:±1.5Vto±18

DIODES

Diodes Incorporated

AZV321KTR-G1

Marking：G6D；Package：SOT-23-5；SINGLE LOW VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

Features ?Guaranteed2.7Vto5.5VPerformance ?NoCrossoverDistortion ?Gain-BandwidthProduct1MHz ?IndustrialTemperatureRange:-40oCto+85oC ?LowSupplyCurrent:130μA ?Rail-to-RailOutputSwingunder10kΩLoad: VOHuptoVCC-10mV VOLneartoVEE+65mV ?VCM:-0.1VtoVCC-0.8V

DIODES

Diodes Incorporated

BAR63-06

Marking：G6s；Package：SOT-23；Silicon PIN Diodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-06W

Marking：G6s；Package：SOT-323；Silicon PIN Diodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

G60KN30I

Marking：G60KN30；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60KN30Iusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G60KN30IA

Marking：G60KN30；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60KN30IAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G60N04D5

Marking：G60N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60N04D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    G60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    1.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    1.2

詳細參數(shù)

  • 型號：

    G6

  • 制造商：

    Velleman Inc

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
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SOT-23
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23+
6500
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SOT223
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INFINEON/英飛凌
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更多G6供應商 更新時間2025-4-23 15:01:00

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