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BZD27C110P

Marking：G6；Voltage Regulator Diodes

Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BZD27C110P

Marking：G6；Package：SOD-123FL；Voltage Regulator Diodes

Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

EMG6

Marking：G6；Package：SOT-553；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

EMG6

Marking：G6；Package：SOT-553；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

FMG6A

Marking：G6；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

FMG6A

Marking：G6；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

FMG6A

Marking：G6；Package：SOT-753；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

NC7SV32FHX

Marking：G6；Package：MicroPak2；TinyLogic ULP-A 2-Input OR Gate

TheNC7SV32isasingle2?InputORGateintinyfootprint packages.ThedeviceisdesignedtooperateforVCC=0.9Vto3.6V. Features ?Designedfor0.9Vto3.6VVCCOperation ?1.6nstPDat3.3V(Typ) ?Inputs/OutputsOver?VoltageTolerantupto3.6V ?IOFFSupportsPartialPower

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NC7SV32L6X

Marking：G6；Package：MicroPak；TinyLogic ULP-A 2-Input OR Gate

TheNC7SV32isasingle2?InputORGateintinyfootprint packages.ThedeviceisdesignedtooperateforVCC=0.9Vto3.6V. Features ?Designedfor0.9Vto3.6VVCCOperation ?1.6nstPDat3.3V(Typ) ?Inputs/OutputsOver?VoltageTolerantupto3.6V ?IOFFSupportsPartialPower

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NX6008NBKS

Marking：G6；Package：SOT363；60 V, dual N-channel Trench MOSFET

description DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroSta

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    G60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    1.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    1.2

詳細參數(shù)

  • 型號：

    G6

  • 制造商：

    Velleman Inc

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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LQFP64
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GigaDevice
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LQFP64
10000
公司只做原裝,假一罰十
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GigaDevice
21+
LQFP64
10080
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
 詢價
GigaDevice
23+
LQFP64
10080
原裝正品 支持實單
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FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-23
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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TOSHIBA/東芝
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專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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更多G6供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 15:02:00

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