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GA10JT12-263 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) ISC/無錫固電

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  • 廠家型號(hào)：

    GA10JT12-263

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ISC/無錫固電

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    DPAK/TO2637L

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-29 14:18:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：GA10JT12-263品牌：isc/無錫固電

只做原裝正品，假一罰十。

  • 芯片型號(hào)：

    GA10JT12-263

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    GENESIC詳情

  • 廠商全稱：

    GeneSiC Semiconductor, Inc.

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    913.3 kb

  • 資料說明：

    Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GA10JT12-263

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A（Tc）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    120 毫歐 @ 10A

  • 功率耗散（最大值）：

    170W（Tc）

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    TRANS SJT 1200V 25A

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    19065122659

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13510546959

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福山社區(qū)彩田路2010號(hào)中深花園B1008M15

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