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GAL18V10B-20LJ

HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar

LatticeLattice Semiconductor

萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司

GAL18V10B-20LP

HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar

LatticeLattice Semiconductor

萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司

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更多GAL18V10B-20LP(PROG)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 10:11:00

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