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GN1L4M

MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR?

FEATURES ?ResistorsBuilt-inTYPE ?ComplementarytoGA1L4M

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

GN1L4M

SILICON TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

AA1L4L

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheAA1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

AA1L4M

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheAA1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

AA1L4Z

COMPOUNDTRANSISTOR

on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=47k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L4Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

AA1L4Z

on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching

FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=47k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L4Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

AN1L4L

PNPSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheAN1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

AN1L4M

PNPSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheAN1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

AN1L4Z

on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching

FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=47k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L4Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

AN1L4Z

COMPOUNDTRANSISTOR

on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=47k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L4Z

NECRenesas Electronics America

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晶體管資料

  • 型號:

    GN1L4M

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    中速 (MS)_開關(guān)管 (SW)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    DTA144EU,2SA1676,

  • 最大耗散功率:

    0.15KW

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    150

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GN1L4M

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SOT-323
23+
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更多GN1L4M供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 17:00:00