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GP401DDS18中文資料Dynex數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
GP401DDS18 |
| 功能描述 | Low VCE(SAT) Dual Switch IGBT Module Preliminary Information |
| 文件大小 |
160.29 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Dynex Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Dynex |
| 中文名稱(chēng) | Dynex Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-18 17:47:00 |
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The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP401DDS18 is a dual switch 1800V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed with low VCE(SAT) to minimise conduction losses, the module is of particular relevance in low to medium frequency applications. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.
FEATURES
■ Low VCE(SAT)
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate
■ Low Inductance Internal Construction
APPLICATIONS
■ High Reliability Inverters
■ Motor Controllers
■ Traction Drives
■ Resonant Converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
GP401DDS18
- 制造商：
DYNEX
- 制造商全稱(chēng)：
Dynex Semiconductor
- 功能描述：
Low VCE(SAT) Dual Switch IGBT Module Preliminary Information
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
國(guó)產(chǎn)替代 |
2012 |
SOT23-5 |
24000 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
ARM |
24+ |
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TQFP100P |
14 |
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