首頁(yè)>GPA015A120MN-ND>芯片詳情

GPA015A120MN-ND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 SemiQ

GPA015A120MN-ND參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    GPA015A120MN-ND

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    SemiQ

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P-3 SC-65-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 10:53:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：GPA015A120MN-ND品牌：SemiQ

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

GPA015A120MN-ND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商SemiQ生產(chǎn)封裝TO-3P-3 SC-65-3/TO-3P-3，SC-65-3的GPA015A120MN-ND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    GPA015A120MN-ND

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GPA015A120MN-ND

  • 制造商：

    SemiQ

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    1.61mJ（開），530μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/166ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

相近型號(hào)