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GPA020A120MN-FD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-SemiQ

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原廠料號(hào)：GPA020A120MN-FD品牌：SemiQ

資料說明：IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

GPA020A120MN-FD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商SemiQ生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的GPA020A120MN-FD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    gpa020a120mn-fd

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GPA020A120MN-FD

  • 制造商：

    SemiQ

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.8mJ（開），480μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

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