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GPA020A135MN-FD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-SemiQ

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原廠料號(hào)：GPA020A135MN-FD品牌：SemiQ

資料說(shuō)明：IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

GPA020A135MN-FD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商SemiQ生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的GPA020A135MN-FD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    gpa020a135mn-fd

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GPA020A135MN-FD

  • 制造商：

    SemiQ

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.5mJ（開(kāi)），760μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/175ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

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