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GQM2195C2E1R0CB12D電容器的陶瓷電容器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
GQM2195C2E1R0CB12D |
| 參數(shù)屬性 | GQM2195C2E1R0CB12D 封裝/外殼為0805（2012 公制）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為電容器的陶瓷電容器；GQM2195C2E1R0CB12D應(yīng)用范圍：RF，微波，高頻；產(chǎn)品描述：CAP CER 1PF 250V NP0 0805 |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 封裝外殼 | 0805（2012 公制） |
| 文件大小 |
491.07 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-14 10:35:00 |
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GQM2195C2E1R0CB12D規(guī)格書(shū)詳情
1 General description
This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz.
This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1930 to 1995 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.
2 Features and benefits
? High terminal impedances for optimal broadband performance
? Advanced high performance in-package Doherty
? Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
? Plastic package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
GQM2195C2E1R0CB12D
- 制造商：
Murata Electronics
- 類(lèi)別：
電容器 > 陶瓷電容器
- 系列：
GQM
- 包裝：
卷帶（TR）
- 容差：
±0.25pF
- 電壓 - 額定：
250V
- 溫度系數(shù)：
C0G，NP0
- 工作溫度：
-55°C ~ 125°C
- 特性：
高 Q 值，低損耗
- 應(yīng)用：
RF，微波，高頻
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝，MLCC
- 封裝/外殼：
0805（2012 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
- 厚度（最大值）：
0.039"（1.00mm）
- 描述：
CAP CER 1PF 250V NP0 0805
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
muRata(村田) |
23+ |
0805 |
69689 |
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