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GT025N06AM6中文資料谷峰半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT025N06AM6
廠商型號

GT025N06AM6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

GT025N06

封裝外殼

TO-263-6L

文件大小

841.27 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導體

中文名稱

谷峰半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-28 8:30:00

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GT025N06AM6規(guī)格書詳情

Description

The GT025N06AM6 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
XX
19+
SOD123
20000
4800
詢價
XX
23+
SOD123
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價
XX/興芯智能
25+
SOD123
860000
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