GT10J312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
GT10J312 |
參數(shù)屬性 | GT10J312 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
功能描述 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
文件大小 |
295.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-1 23:00:00 |
GT10J312規(guī)格書詳情
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
● Third-generation IGBT
● Enhancement mode type
● High speed : tf = 0.30μs (Max.)
● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.)
● FRD included between emitter and collector
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
GT10J312(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,10A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
400ns/400ns
- 測試條件:
300V,10A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220SM
- 描述:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
NA/ |
988 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
22+23+ |
TO220 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TO220 |
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TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO-263 |
6000 |
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TOS |
24+ |
TO-220 |
1200 |
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TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO220F |
28657 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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24+ |
TO220 |
65300 |
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TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO220 |
54990 |
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GOFORD |
24+ |
TO-252 |
10 |
C79-信號隔離器 |
詢價 |