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GT15J311

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT15J311

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT15J311

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.)(IC=15A) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.)(IC=15A) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    GT15J311(SM,Q)

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    IGBT 600V 15A TO-220SM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多GT15J311(SM,Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 11:12:00

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