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GT15J311

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT15J311

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT15J311

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.)(IC=15A) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.)(IC=15A) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector

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詳細參數

  • 型號：

    GT15J311(TE24R)

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL/SM T/R

  • 功能描述：

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 15A 3PIN TO-220SM - Tape and Reel

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更多GT15J311(TE24R)供應商 更新時間2025-1-12 9:19:00

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