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GT30J121中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT30J121
廠商型號(hào)

GT30J121

參數(shù)屬性

GT30J121 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

294.93 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 23:03:00

GT30J121規(guī)格書詳情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

? Fourth-generation IGBT

? Enhancement mode type

? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT30J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,30A,24 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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