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GT30J324

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30J324

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30J324

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.)

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    GT30J324(Q)

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    X35 PB-F IGBT/TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ - Bulk

  • 功能描述:

    IGBT DUAL 600V 30A TO-3PN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多GT30J324(Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 18:07:00