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GT30J324

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.)

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GT30J324

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT30J324

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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GT30J324_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT30J324

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

  • 功能描述：

    IGBT 600V TO-3P(N)

  • 功能描述：

    IGBT, 600V, TO-3P(N)

  • 功能描述：

    IGBT, 600V, TO-3P(N), Transistor

  • Type：

    IGBT, DC Collector

  • Current：

    30A, Collector

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更多GT30J324供應(yīng)商 更新時間2025-2-24 10:45:00

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