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GT40QR21(STA1,E,D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
GT40QR21(STA1,E,D
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,40A
- 開關(guān)能量:
-,290μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件:
280V,40A,10 歐姆,20V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P(N)
- 描述:
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市亞泰盈科電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
18902849575
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83759959-806/18902849575
- 傳真:
0755-83759919
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3006佳和大廈B座1410-1411
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