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GT40T302中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT40T302
廠商型號(hào)

GT40T302

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

173.24 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-18 8:08:00

GT40T302規(guī)格書詳情

Parallel Resonance Inverter Switching Applications

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement mode

? High speed IGBT: tf= 0.23 μs (typ.) (IC= 40 A)

FRD: trr= 0.7 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)

? Low saturation voltage: VCE (sat)= 3.7 V (typ.) (IC= 40 A)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT40T302

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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