GT40WR21,Q_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號:GT40WR21,Q品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

GT40WR21,Q是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3,SC-65-3的GT40WR21,Q晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    gt40wr21,q

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    GT40WR21,Q

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    5.9V @ 15V,40A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

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