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GT40QR21(STA1,E,D_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào)：GT40QR21(STA1,E,D品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

GT40QR21(STA1,E,D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的GT40QR21(STA1,E,D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    gt40qr21(sta1,e,d

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  • 資料說(shuō)明：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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