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GT50J121 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào)：

    GT50J121

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    31518

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P(LH)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    17+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-3 14:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：GT50J121品牌：TOSHIBA/東芝

原裝正品 可含稅交易

  • 芯片型號(hào)：

    GT50J121

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    317.63 kb

  • 資料說(shuō)明：

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT50J121(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.3mJ（開(kāi)），1.34mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，50A，13 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（LH）

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市河鋒鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13430590551

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-23933424

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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